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可编程晶振 (MEMS硅)

可编程晶振(Q MEMS石英)

可编程晶振 (MEMS硅)

可编程晶振 (MEMS硅)

简介

深圳扬兴是一家专业的晶振服务商。34年来，扬兴科技一直专研于晶振技术的研究与开发，一路见证的中国晶振行业的发展。2016年，美国SITIME原厂授权扬兴工厂大规模投产MEMS可编程晶振，扬兴科技成为中国较早的可编程晶振生产厂商，拥有全自动编程生产机器的代理商之一；大批量1-2天快速交付，样品当天发货。

YSO8008MR低功耗晶振

48种定制标准频率，享受批量价格优势
低功耗、高频率稳定性
待机模式使电池寿命更长
快速启动时间5ms
符合无铅、Rohs和REACH标准

频率范围：1~110Mhz
频差：±20、±25、±50PPM
老化：±1.5PPM/年
温度范围：-20~+70℃，-40~+85℃
电压：1.8v 2.5v 2.8v 3.0v 3.3v
功耗：3.5~3.8mA
输出方式：CMOS
体积：7050/5032/3225/2520/2016

YSO8009MR低功耗振荡器

高精度、高频率稳定性、可靠性
优良的耐环境特性，达工业级温度
快速启动时间5ms
符合无铅、Rohs和REACH标准

频率范围：115~137Mhz
频差：±20、±25、±50PPM
老化：±1.5PPM/年
温度范围：-20~+70℃，-40~+85℃
电压：1.8/2.5/2.8/3.0/3.3V
功耗：4.9~6.2mA
输出方式：CMOS
体积：7050/5032/3225/2520/2016

YSO9121MR低频差分晶振

超高性能差分振荡器
可编程频率精度达小数点后六位，确保发挥系统高性能
仅500飞秒RMS相位抖动（12Khz至20Mhz），满足SONET等应用的苛刻要求
通过50000G强振及70G微振测试
MTBF（平均无故障时间）达5亿小时

频率范围：1~220Mhz
频差：±10、±20、±25、±50PPM
老化：±1PPM/年
温度范围：-20~+70℃，-40~+85℃
电压：2.5V，3.3V，2.25V-3.63V
功耗：61mA
输出方式：LVPECL/LVDS
体积：7050/5032/3225

YSO9122MR高频差分晶振

超高性能差分振荡器
可编程频率精度达小数点后六位，确保发挥系统最高性能
仅500飞秒RMS相位抖动（12Khz至20Mhz），满足SONET等应用的苛刻要求
通过50000G强振及70G微振测试
MTBF（平均无故障时间）达5亿小时

频率范围：220~625Mhz
频差：±10、±20、±25、±50PPM
老化：±1PPM/年
温度范围：-20~+70℃，-40~+85℃
电压：2.5V，3.3V，2.25V-3.63V
功耗：61mA
输出方式：LVPECL/LVDS
体积：7050/5032/3225

YSO8918MR高温晶振

定制标准频率，享受低价格优势
高性能、高精度、超精微技术
待机模式使电池寿命更长
符合ROHS标准，绿色环保

频率范围：1~110Mhz
频差：±20、±25、±30、±50PPM
老化：±1.5PPM/年
温度范围：-40~+105℃/-40~+125℃
电压：1.8/2.5/2.8/3.0/3.3V
功耗：3.5~3.8mA
输出方式：CMOS
体积：7050/5032/3225/2520/2016

YSO8920MR高温晶振

定制标准频率，享受低价格优势
高稳定性、可达±125℃高温
频率范围宽，精度高
符合无铅、ROHS标准，绿色环保

频率范围：1~110Mhz
频差：±20、±25、±30、±50PPM
老化：±1.5PPM/年
温度范围：-55~+125℃
电压：1.8/2.5/2.8/3.0/3.3V
功耗：3.5~3.8mA
输出方式：CMOS
体积：7050/5032/3225/2520/2016

YSO8208MR低抖动晶振

1、定制标准频率，享受低价格优势

2、高性能、高精度、超精微技术

3、待机模式使电池寿命更长

4、超低阶段抖动：0.5 ps

5、5亿小时平均无故障时间

6、频率稳定度低±10 PPM

7、超短交期时间，当天发货

8、符合ROHS标准，绿色环保

频率范围：1~80Mhz
频差：±10、±20、±25、±50PPM
老化：±1.5PPM/年
温度范围：-20~+70℃，-40~+85℃
电压：1.8/2.5/2.8/3.3V
功耗：29~31mA
输出方式：CMOS
体积：7050/5032/3225/2520

YSO8209MR低抖动晶振

具备优良的耐热性、可达工业级温度
4P贴片硅封装，多种体积可选
可编程频率精度达小数点后六位
符合ROHS和REACH标准

频率范围：80.000001~220Mhz
频差：±10、±20、±25、±50PPM
老化：±1PPM/年
温度范围：-20~+70℃，-40~+85℃
电压：1.8/2.5/3.3V
功耗：30~34mA
输出方式：CMOS
体积：7050/5032/3225/2520

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