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低功耗振蕩器

SiTime低功耗振蕩器采用全半導體工藝制程，標準黑色QFN封裝，無需改動PCB板，管腳完全兼容。從設計和工藝的角度完全杜絕了傳統石英晶振生產工藝中引起的電路不起振、停振、氣密性問題、一致性差等一系列品質問題；抗震可達50000G，徹底消除了設計人員對小封裝晶振的成本和供貨的顧慮。 SITIME低功耗晶振的出現將會大大降低采購的風險，降低返修率，減少產品的維護的成本。

特性和優勢
1、為實現最佳系統性能的自定義規格
2、可配置的特性集：
3、小型 2016 和 2520 封裝，適用于所有的頻率、電壓和穩定性
4、降低了功耗，實現更綠色的系統
5、延長便攜式應用的電池壽命
6、SoftEdgeTM 可配置驅動強度
7、減輕短路風險
8、低功耗：
9、減少庫存開銷
10、通過驅動多個負載并消除了多余的定時元件來節省成本

頻率范圍：1-110mhz
頻差：±20、±25、±50PPM
老化：±1.5PPM/年
溫度范圍：-20~+70℃ -40~+85℃
負載電容：1.8、2.5、2.8、3.0、3.3V
體積：7050、5032、3225、2520、2016

特點和優勢
1、功耗超低的高頻振蕩器：
2、小型 2016 和 2520 封裝，適用于所有的頻率、電壓和穩定性
3、可配置特性集：
4、SoftEdgeTM 可配置驅動強度
5、節省更多板空間，不會降低性能和可用性
6、通過較慢上升/下降時間最大限度減少振蕩器的 EMI
7、通過驅動多個負載并消除了多余的定時元件來節省成本
8、減少庫存開銷
9、減輕短路風險

頻率范圍：115MHz ~ 137MHz
頻差：±20ppm，±25ppm，±50ppm
老化：
溫度范圍：-20℃~+70℃ -40℃~+85℃
負載電容：1.8V，2.5 V ~ 3.3 V
體積：2.0*1.6mm 2.5*2.0mm 3.2*2.5mm 5.0*3.2mm 7.0*5.0mm

1、頻率：125~150 MHz
2、頻率穩定度：（ppm）±20，±25，±50
3、工作溫度范圍（°C）：-20~+70，-40~+85
4、振蕩器類型：XO-SE
5、輸出類型：LVCMOS
6、包裝類型：2.5x2.0，3.2x2.5，5.0x3.2，7.0x5.0
7、電壓電源（V）：2.5，2.8，3.3
8、不建議用于新設計
更換型號：SiT8008，SiT8009，SiT8209

頻率范圍：125MHz~150MHz
頻差：±20ppm ±25ppm ±50ppm
老化：
溫度范圍：-20℃~+70℃ -40℃~+85℃
負載電容：2.5V~3.3V
體積：2.5*2.0mm 3.2*2.5mm 5.0*3.2mm 7.0*5.0mm

SiT8021振蕩器是這個系列的第一個器件，通過設定功率、尺寸和重量的新基準，突破了石英技術的局限性。SiT8021比石英器件的功耗降低了90%，尺寸小了40%，重量減少了70%。這些同類最佳的規格可實現智能手表、智能手環、平板電腦、智能手機、便攜式音頻和附件最長的電池壽命和最小的尺寸和重量。

頻率范圍：1MHz~26MHz
頻差：±100ppm
老化：
溫度范圍：-20℃~+70℃ -40℃~+85℃
負載電容：1.8V~3.63V
體積：1.5*0.8mm (1508)

SiT1602是一個低功率的固定頻率振蕩器。它提供了低功耗，出色的穩定性，體積小，快速啟動和短交貨期的各種應用的完美結合。。SIT1602 系列具有可編程驅動強度，且該特性針對特定應用優化了上升/下降時間。可編程驅動強度帶來的優勢包括：提升了 EMI 性能、降低了抖動并能驅動大型容性負載。

頻率范圍：3.57MHz~77.76MHz
頻差：±20ppm ±25ppm ±50ppm
老化：
溫度范圍：-20℃~+70℃ -40℃~+85℃
負載電容：1.8V~3.3V
體積：2.0*1.6mm 2.5*2.0mm 3.2*2.5mm 5.0*3.2mm 7.0*5.0mm

1-110MHZ頻率范圍
LVCMOS / LVTTL兼容輸出
待機電流低至0.5μA
快速恢復3.0 ms的簡歷時間
全硅器件，超短的交貨時間
已停產，原廠推薦SiT8008替代

頻率范圍：1MHz~110MHz
頻差：±50ppm ±100ppm
老化：
溫度范圍：-20℃~+70℃ -40℃~+85℃
負載電容：1.8V~3.3V
體積：3.5*3.0mm（3530）

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